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一种偏振出光发光二极管
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扬州博士创新技术转移有限公司
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本发明公开了一种具有二维表面周期结构的偏振出光发光二极管,它是一种有源偏振出光光学器件。它的发光二极管芯片包括基底、n型层,量子阱、p型层;在p型层的上表面制备具有二维周期结构的金属表面层;或制备一介质过渡层与具有二维周期结构的金属表面层的复合结构。二维周期点阵的一个方向x,它的周期a为70~180纳米,与x垂直的y方向的周期b为a的40%~80%。介质过渡层的折射率n满足条件为1.0
本发明公开了一种具有二维表面周期结构的偏振出光发光二极管,它是一种有源偏振出光光学器件。它的发光二极管芯片包括基底、n型层,量子阱、p型层;在p型层的上表面制备具有二维周期结构的金属表面层;或制备一介质过渡层与具有二维周期结构的金属表面层的复合结构。二维周期点阵的一个方向x,它的周期a为70~180纳米,与x垂直的y方向的周期b为a的40%~80%。介质过渡层的折射率n满足条件为1.0
商品类型 专利 申请号 201110242940.8 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01L33/44
交易方式 排他许可 专利状态 已授权 授权号
高新技术领域分类 电子信息 信息有效期至 长久有效 授权日
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