本发明公开了一种有机-无机杂化太阳能电池，包括：金属背电极、n型硅基底层、硅纳米线阵列和电池正极；还包括：p-型空穴传输壳层；所述p-型空穴传输壳层为共轭有机物半导体薄膜；其中，n型硅基底层下表面设有金属背电极；n型硅基底层上表面设有硅纳米线阵列；硅纳米线阵列中的硅纳米线表面包覆一层p-型空穴传输壳层；p-型空穴传输壳层上设有电池正极。由于本发明采用硅纳米线阵列与共轭有机物构成三维径向的p-n结杂化结构，一方面提高对光的吸收，减少了硅的用量，降低了对硅的纯度要求，另一方面缩短了载流子传输距离，克服了载流子容易复合的问题，提高了光电转换效率。

本发明公开了一种有机-无机杂化太阳能电池，包括：金属背电极、n型硅基底层、硅纳米线阵列和电池正极；还包括：p-型空穴传输壳层；所述p-型空穴传输壳层为共轭有机物半导体薄膜；其中，n型硅基底层下表面设有金属背电极；n型硅基底层上表面设有硅纳米线阵列；硅纳米线阵列中的硅纳米线表面包覆一层p-型空穴传输壳层；p-型空穴传输壳层上设有电池正极。由于本发明采用硅纳米线阵列与共轭有机物构成三维径向的p-n结杂化结构，一方面提高对光的吸收，减少了硅的用量，降低了对硅的纯度要求，另一方面缩短了载流子传输距离，克服了载流子容易复合的问题，提高了光电转换效率。