光电器件芯片设计技术。 1、具体技术要求:击穿电压BVR:35V,开路电压:VOP0.3V,短路电流ISC≥15uA,光敏度λ:430 nm -1100nm,峰值敏感波长λP:940 nm
| 需求类型 | 技术改造 | 发布方 | 单位 | 需求标签 | |
| 交易方式 | 合作开发 | 所在地区 | 信息有效期至 | 2022-12-12 | |
| 拟投资金额 | 100000元 | 资金用途 | |||
| 技术领域 | 电子信息 | ||||
基于物联网的精准识别与智能应用系统研发及产业化 ¥ 1,500,000 元
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