光电器件芯片设计技术。 1、具体技术要求:击穿电压BVR:35V,开路电压:VOP0.3V,短路电流ISC≥15uA,光敏度λ:430 nm -1100nm,峰值敏感波长λP:940 nm
¥ 1,500,000 元
面议
联系方式
确认收藏需求吗
抱歉,您没有登录无权访问该页面!